Факультет радиоэлектроники летательных аппаратов
Московский авиационный институт
(Национальный исследовательский университет самолетных, ракетных и космических систем)

 
Главная страница » Главная » Файлы » 8 семестр » Вопросы по Кошельковой

Вопросы по Кошельковой

Автор: Evgen от 23 мая 2010
 (голосов: 1)

САПР. Создавался как инструмент помощи инженерам для ускорения и повышения качества проектирования.

В нашем случае, это очередные инновационные CALS-технологии, нанослучайные числа, получаемые табличным методом, И - каким боком только засунут - критерий хиквадрат!

Итак, вопросы:

 

Вопросы к зачёту по дисциплине «Теоретические основы САПР и моделирование»,

гр. 04401:402,2009/10 уч. год.

Введение.

Определение проектирования. Современный подход к проектированию РЭУ на основе CALS-технологии.

Понятия электронного макета, виртуального предприятия.

ТЕМА 1. Задачи и принципы проектирования.

1. Содержание понятия проектирования. Составные части процесса проектирования.

2. Системный подход к проектированию. Основные понятия системотехники.

3. Блочно-иерархический подход к проектированию.

3.1. Иерархические уровни описаний проектируемых объектов.

3.2. Иерархия уровней проектирования. Нисходящее и восходящее проектирование.

3.3. Унификация проектных решений и процедур.

4. Обобщённая структурная схема процесса проектирования.

4.1. Классификация типовых процедур проектирования.

4.2. Типичная последовательность проектных процедур. Этапы проектирования.

4.3. Системы автоматизированного проектирования и их место среди других автоматизированных систем.

ТЕМА 2. Моделирование внешних воздействий и сигналов. Датчики случайных чисел.

1. Моделирование - основной инструмент проектирования РЭУ.

1.1. Классификация математических моделей.

1.2. Требования к математическим моделям: точность (источники погрешностей), адекватность, универсальность, экономичность.

1.3. Методика получения.

2. Способы получения случайных чисел: а) табличный; б) физический; в) программный.

3. Программные методы моделирования случайных величин: а) середины квадрата; б) конгруэнтные.

4. Генераторы случайных величин.

4.1. С непрерывным распределением вероятностей: а) равномерное распределение;

б) нормальное распределение; в) треугольное распределение; г) экспоненциальное распределение.

4.2. С дискретным распределением вероятностей: а) биномиальное распределение;

5. Статистические тесты оценки качества генераторов случайных величин.

5.1. Критерий %2 ¦ Математическая основа.

5.2. Алгоритм применения критерия .

5.3. Расчет теоретической вероятности попадания случайных чисел в заданный интервал: а) равномерное распределение; б) нормальное распределение, функция Лапласа; в) треугольное распределение; г) экспоненциальное распределение.

6. Моделирование случайных величин с непрерывным произвольным распределением вероятностей.

6.1. Метод обратной функции.

6.2. Табличный метод (кусочной аппроксимации).

6.3. Метод Неймана (статистических испытаний).

ТЕМА 3. САПР (англ.: CAD-CAE-CAM) в радиоэлектронике. Программное обеспечение.

1. Пакеты прикладных программ для проектирования цифровых, аналоговых и аналого-цифровых устройств (DC Expert, Micro-Logic, PC-Logic, OrCaD, Auto-CAD, PSpice, Micro-Cap, РАПИРА). Функциональное назначение, режимы работы.

2. Динамика развития программ семейства Micro-Cap. Реализация принципов сквозного проектирования, совместимость с другими пакетами.

3. Micro-Cap 7 (МС7). Назначение, интерфейс, создание чертежа схем.

3.1. Описание схем в формате MC7(.cir) и на языке PSpice (.ckt).

3.2. Библиотека компонентов.

3.3. Режимы работы МС7. Меню Analysis> Transient (анализ переходных процессов), АС (анализ частотных характеристик), DC (анализ передаточных функций по постоянному току), Dynamic DC (расчет режима по постоянному току и отображение на схеме узловых потенциалов, токов ветвей и рассеиваемой мощности). Задание параметров моделирования.

4. Моделирование пассивных компонентов (сопротивление, конденсатор, индуктивность, диод).

Модели компонентов в виде двухполюсников. Форматы МС7 и PSpice.

5. Модель Эберса-Молла для биполярного транзистора.

6. Моделирование источников сигналов (постоянного напряжения Battery, импульсного напряжения Pulse, синусоидального напряжения Sine, постоянного тока Isourse).

ТЕМА 4. Математические модели схем. Методы расчёта и анализа выходных параметров схем.

1. Общее описание электронной схемы. Топологический граф схемы. Дерево графа, сечение,

контур.

2. Топологические матрицы и их основные свойства. Матрицы инциденций, узлов, главных

сечений, главных контуров.

3. Матрично-топологические уравнения.

4. Списочные методы записи топологических матриц. Топологические множества.

5. Системы матричных уравнений для расчета статики (основная система, относительно токов и напряжений ветвей, относительно узловых потенциалов и контурных токов).

6. Методы расчета статического режима (простой итерации, Зейделя, Ньютона). Сходимость, скорость сходимости, оценка погрешности.

7. Расчет динамического режима РЭУ. Анализ переходных процессов. Математическая основа - решение системы ОДУ.

8. Составление уравнений переходных процессов. Метод переменных СОСТОЯНИЯ.

9. Методика получения нормальной формы ОДУ.

10. Методы численного решения ОДУ. Методы Рунге-Кутта полиномиальной аппроксимации (трапеций, явный и неявный метод Эйлера). Точность, устойчивость, скорость вычислений.

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий
Цитата
  • Julia

  • 15 мая 2012 12:28
  • Группа: Посетители
  • ICQ: --
  • Регистрация: 15.05.2012
  • Комментариев: 45
  • Публикаций: 0
^
replicawatches replicawatches, Miguel, rolex watches replica rolex watches replica
 

Сайт групп 04-502, 04-501
факультета радиоэлектроники
МАИ