Факультет радиоэлектроники летательных аппаратов
Московский авиационный институт
(Национальный исследовательский университет самолетных, ракетных и космических систем)

 

Семинар по ФОМЭ

Автор: Evgen от 22 апреля 2008
 (голосов: 4)

Семинар по курсу ФОМЭ

Свойства р-n перехода

  1. Энергетическая диаграмма р-n перехода
  2. ВАХ р-n перехода.
  3. Основные виды полупроводниковых приборов
  4. Емкости р-n перехода
  5. Пробой р-n перехода
 
Биполярные транзисторы
  1. Устройство и принцип действия БП транзистора
  2. Схемы включения и режимы работы
  3. Входная и выходная ВАХ транзистора в схеме с общим эмиттером
  4. Входная и выходная ВАХ транзистора в схеме с общей базой
  5. Особенности БП транзисторов интегральных схем (для всех, учим сами)
 
Полевые транзисторы
  1. Устройство и принцип действия полевого транзистора
  2. Выходная характеристика полевого транзистора
  3. Передаточная характеристика полевого транзистора
  4. МДП транзисторы интегральных схем (учим сами)
Обратить внимание на последние пункты, которые нужно учить самим.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий
 

Сайт групп 04-502, 04-501
факультета радиоэлектроники
МАИ